相变存储相关问题

相变存储相关问题

1、问：国内在大力布局存储器芯片制造，这些fab能否代工相变存储器？

答：目前来讲，武汉新芯主导产品是Nor Flash，目前生产线比较成熟，正在布局3D NAND Flash。相变存储器的外围电路用CMOS工艺就可以实现，包括读写电路、放大电路、编码电路，都可以利用原来生产线大部分设备，只需添置部分设备就可以生产（如刻蚀），因此国内可以改造产线代工相变存储器。但是如果公司想重新投一条相变存储器芯片产线，成本太高，不经济。从代工厂的角度说，如果有成熟的新兴技术，通过改造产线实现生产更受欢迎。

2、问：国内在3D NAND Flash领域是处于追赶的状态，在相变存储领域是否可能实现弯道超车？

答：3D NAND Flash现在是三星一家领先，其他几家基本处于同一水平。相变存储领域国内布局比较早，若相变存储要大规模生产至少国内有技术储备，处于与国外并驾齐驱的状态。

3、问：上海微系统所已经做出了8Mb的容量，那么要实现1GB甚至1TB的跨越，难点在什么地方?

答：难点在于我们研发的设备比生产线的设备落后很多。一般来讲，研发机构的设备比公司的要高级，但是在集成电路行业，公司设备比研究所的高级，公司不愿意用更高级的设备去研发。比如中芯国际做研发的都是试验线，而不会是产业线。假如我们有好的设备，在解决容量、探扰、功耗三个问题的前提下，我们也是可以做到1GB大容量的。

4、问：相变存储器是否可以替代DRAM和FLASH？

答：相变存储器现在的价格在DRAM和FLASH中间，它的容量比DRAM大，比FLASH低；它的速度DRAM慢一点，但比FLASH快很多。现在的存储系统很不平衡，都走向极端，速度和容量不可同时满足。而相变存储器介两者之间，能够在速度和容量找到平衡点，找到自己市场。但是也不太可能完全替代DRAM和FLASH。

5、问：相变存储器全产业链有哪些可以国产化，有哪些方向可以投资？

答：在材料源方面（硫系化合物半导体），假如我们用PVD的方法来做材料，那么可以去关注一些做靶材的公司。假如我们用化学的方法来做材料，可以去关注MO源的公司，比如南大光电；在机器方面，可以去投资做刻蚀设备的相关公司，重点关注北方微电子；在封装方面，未来3D封装是重点；在产品设计方面，可以重点关注紫光华芯等紫光体系的公司，另外也可关注做NOR FLASH设计的兆易创新。

6、问：您刚刚说了很多国内外公司关于相变存储器做的工作，那您认为国内外在相变存储器的技术上差距大不大，有多大？

答：国内目前在关键技术上有所突破，在相变存储器专利方面国内占了14%-15%。我们在做相变存储器研发的人员、数量和质量还比不上国外。目前国内就华中科技大学、中科院上海微系统所这2家专门做相变存储器芯片，人员投入还不够。因此和三星、美光相比，还是有一定的差距。但是在存储器领域我们也有自己的核心技术，拥有一定的地位。

推荐标的

从整个国家存储器产业来看，紫光国芯、深科技和长电科技为核心受益标的；从相变存储器的角度来看，最相关的公司为南大光电和艾派克。

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